【小结】综上所述，技术竞争激烈首选的Brønsted酸位点的形成途径取决于操作条件，例如氢气和水分压以及Pt上的WOx覆盖率。

该工作报道了利用过渡金属离子（Ni2+、形势Mn2+等）掺杂钝化Pb-halogen键的活性孤对电子，形势减少Pb-halogen键的反键态，从而实现了晶格的长程强化以及场致离子迁移的显著抑制。为了阐明这些现象的内在机制，日益作者进行了层层深入的第一性原理计算研究。

美日d 光致发光谱中对应发光峰位随时间的变化趋势。结果表明，欧对3d轨道部分填充的Ni2+和Mn2+掺杂可以将离子迁移激活能从0.117eV分别提升至0.443eV和0.439eV，提升效果为4倍。对于Zn2+，技术竞争激烈由于它的3d轨道全部被电子占据，Zn3d轨道处于深能级位置，不能与费米面附近的Pb6s-Br4p反键态产生相互作用，也就不能有效强化Pb-Br键。

形势文献链接：XiChen,ZhiguoSun,BoCai,XiaomingLi,ShihuaZhang,DiFu,YoushengZou,ZhiyongFan,andHaiboZeng.SubstantialImprovementofOperatingStabilitybyStrengtheningMetal-HalogenBondsinHalidePerovskites.AdvancedFunctionalMaterials,2022,2112129.https://doi.org/10.1002/adfm.202112129。这表明Ni2+和Mn2+掺杂对化学键的强化作用不只是局域于掺杂原子周围，日益而是可以拓展到整个晶格，是一种长程效应。

美日c Ni对Br空位迁移排斥作用的唯像示意图。

然后，欧对作者将CsPbBr3量子点制备成横向器件，并测试了器件的变温输运性能来计算离子迁移激活能（图2）。腾讯、技术竞争激烈爱奇艺在视频内容领域处于行业的前沿水平，技术竞争激烈无论内容生产、运营还是资源储备实力都很强，另外在游戏这个变现能力强的内容领域，两家也各有特色。

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